《科創(chuàng)板日報》1日訊，據(jù)湖州莫干山高新區(qū)官微消息，年產(chǎn)12億顆高性能MEMS射頻芯片、1000萬片Mini/MicroLED藍(lán)寶石襯底片生產(chǎn)建設(shè)項目簽約落戶湖州莫干山高新區(qū)。據(jù)悉，該項目計劃總投資21億元，主要建設(shè)生產(chǎn)12億顆高性能MEMS壓力傳感器/射頻芯片及1000萬片大英寸Mini/MicroLED氮化鎵用藍(lán)寶石襯底片設(shè)備的制造基地；建設(shè)成立基LED芯片（圖形化）襯底及第三代半導(dǎo)體材料的研發(fā)實驗室。